歷史

台灣應用晶體成立於2012年3月，專為設計和製造Czochralski‘s Crystal Growing System (CGS)，該系統應用於高端醫學成像的閃爍晶體生長、固態激光器的增益介質晶體和激光照明應用的熒光晶體. 2017年，憑藉CGS開發經驗，我們開始開發氧化物單晶材料和高密度陶瓷的生長，並建立切割、研磨、拋光工藝，為客戶提供一站式服務。目前主要產品供應正電子發射斷層掃描用閃爍晶體和高能物理探測器，新一代激光照明和大功率LED用螢光晶體材料，射頻和通信領域的濾波器用高密度濺射靶材。公司致力於通過學術和科研單位的合作，構建多種晶體生長平台，為市場開發和提供新興材料。

• 2012.3 成立
• 2014.6 開發第一代柴氏長晶爐
• 2018.5 開發第二代柴氏長晶爐
• 2019.1 Ce:YAG, Ce:LuAG單晶生長
• 2019.5 開發抗熱型螢光粉
• 2019.7 開發複合式螢光晶體材料並申請專利
• 2020.5 取得台灣專利
• 2020.7 申請美國與中國專利
• 2020.11 開發PVT碳化矽單晶生長系統
• 2021.4 中山大學授權生產雙摻雜LYSO閃爍晶體