equipment manufacturing for crystal growth with Czochralski (Cz).
TAC can provide the scintillator LYSO crystal for PET.
TAC crystal growth furnace can provide a- and c- axis ingot.
Frame
柴氏长晶设备

台湾应用晶体(TAC)与国立中山大学合作开发柴氏晶法长晶设备、以自有技术领先业界。

柴氏晶法长晶设备
设备架构
  • 高周波中频稳压 - 采用美国军用级规格电子零件,不受系统电磁波干扰,稳定度持久优良。
  • 长晶炉主体 - 设备体积较小,可节省工厂空间,方便人员观察及操作。
  • 提拉机机构 - 三角调整器容易操作,减轻人员负担,提高校正精度。
  • 控制系统 –自动电脑直径控制(ADC)系统稳定。
台湾应用晶体(TAC)长晶设备,可生产a轴晶棒与c轴晶棒。
閃爍晶體 閃爍晶體
Sapphire C - axis-  Al2O3
Diameter : 4”
Sapphire  A - axis - Al2O3
Diameter : 6”

柴氏提拉长式晶炉 TAC-CZ-110

单晶生长完整解决方案

        TAC柴氏提拉式长晶炉提供稳定单晶成长环境,独家热场设计与晶体生长参数自动化控制支援闪烁晶体(Scintillator)与雷射应用YAG晶体高品质与高良率晶体生长。

规格:

  • 高周波中频稳压系统加热
    • IGBT 电源供应
    • 输入480 Volt, 3 Phase, 50 or 60 Hz
    • 功率输出范围 25kW~50kW
    • 功率输出精度 ±1%
    • 功率因数 0.95
    • 频率范围 10kHz~25kHz
    • 支援手动/自动/定时控制
    • 支援电压/电流/功率控制模式
    • 控制精度±0.1%
    • IGBT及加热线圈水冷
    • 故障报警和电压、电流、功率等输出限制保护
  • 稳压器及油浸式隔离变压器 (380V转480V)
  • 旋转速度-1~30rpm
  • 提拉速度-0.1~30mm/hr
  • 提拉行程-700mm
  • 快拉速度 0.1~2000mm/hr
  • 提拉精度 0.05mm
  • 内建稳定热场提供良好温度梯度控制
  • 热场组件可局部更换降低维护成本
  • 常压炉设计,支援加热状态投入长晶原料
  • 自动控制采NI控制系统与LabView控制软件

主要优点:

  • 中频稳压加热系统采军用等级零组件,抗电磁干扰与高寿命
  • 炉体采易维护与不占空间简洁设计,易观测晶生长;并提供熔体过程直接热投料
  • 透过伺服马达控制提供高精度提拉系统并整合晶体直径自动控制系统(ADC)以获取稳定高品质晶体生长
  • 介面控制采用TCP/IP通讯协定透过NI CompactRIO提供友善的控制环境
  • 稳定热场建置与温度梯度控制增加坩锅以及热场本身使用寿命,因此节省电源高达20%
  • 最大功率限制以及长晶过程异常状况警示系统
柴氏提拉长式晶炉正子摄影侦测器所使用
正子摄影侦测器所使用
LYSO闪烁晶体 应用于雷射车灯搭配蓝光二极体
应用于雷射车灯搭配蓝光二极体所使用的Ce:YAG荧光晶体

 

关于我们晶体生长设备 | 闪烁晶体雷射晶体联络我们
Copyright © 2015. Taiwan Applied Crystal.. All Rights Reserved. / Web Design by Puffy